H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/34 (2006.01)
Patent
CA 2736265
A type II interband cascade gain medium comprising a thick and In-rich GaInSb hole well, two or more GaSb hole wells, electron and hole injectors are separated by a thick AISb barrier, the thickness of the first InAs electron well in the electron injector, as well as the total thickness of the electron injector and the number of cascaded stages is reduced, transition regions are inserted at the interfaces between the various regions of the gain medium, thick separate confinement layers comprising Ga(InAIAs)Sb are disposed between the active gain region and the cladding, and the doping profile of the cladding layers is optimized to minimize the overlap of the optical mode with the most heavily-doped portion of the InAs/AISb SL cladding layers.
L'invention concerne un milieu de gain de cascade interbande de type Il comportant un puits à trou de Ga InSb riche en indium, deux puits à trou de GaSb ou davantage, dans lequel des injecteurs d'électrons et de trous sont séparés par une barrière d'AISb, l'épaisseur du premier puits d'électrons d'InAs dans l'injecteur d'électrons ainsi que l'épaisseur totale de l'injecteur d'électrons et le nombre d'étages en cascade est réduit, des régions de transition sont insérées aux interfaces entre les différentes régions du milieu de gain, des couches de confinement épaisses séparées composées de Ga(InAIAs)Sb sont disposées entre la région de gain active et le revêtement, et le profil de dopage des couches de revêtement est optimisé pour minimiser le chevauchement du mode optique avec la partie la plus fortement dopée des couches de revêtement InAs/AISb.
Bewley William W.
Candey Chadwick L.
Chul-Soo Kim
Lindle James R.
Meyer Jerry R.
Mbm Intellectual Property Law Llp
The Government Of The United States Of America As Represented By The Se Cretary Of The Navy
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1575881