C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 26/00 (2006.01) H01L 39/24 (2006.01)
Patent
CA 2546839
The present invention provides a high-throughput system for the ex-situ formation of a superconducting thin film, such as rare-earth-barium-copper- oxide (REBCO), atop a continuous length of buffered metal substrate tape by heating a buffered metal substrate tape coated with precursors of REBCO. These precursors, when heated and introduced to water vapor within a process chamber, decompose to form a functional superconducting thin film epitaxial to the buffer layer. A chamber such as a metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) reactor having showerhead and substrate heater assemblies designed for the creation of a long and wide deposition zone is well suited for use in the process the system. The chamber could be of cold-wall type where the walls are not heated or could of hot-wall type where the walls are heated.
La présente invention concerne un système à fort dédit de formation ex situ d'un film mince supraconducteur, fait par exemple de terres rares-barium-oxyde de cuivre sur une longueur continue d'une bande de substrat métallique tamponné, consistant à chauffer une telle bande avec des précurseurs de terres rares-barium-oxyde de cuivre. Lorsqu'ils sont chauffés et introduits dans de la vapeur d'eau à l'intérieur d'une chambre de traitement, ces précurseurs se décomposent et forment un film mince supraconducteur fonctionnel épitaxial par rapport à la couche tampon. Une chambre telle qu'un réacteur à dépôt chimique métallo-organique en phase vapeur avec des ensembles pomme de douche-réchauffeur de substrat conçus pour créer une zone de dépôt longue et large convient bien pour ce système. La chambre peut être du type à parois froides non chauffées ou à parois chaudes chauffées.
Gowling Lafleur Henderson Llp
Superpower Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1371064