H - Electricity – 03 – K
Patent
H - Electricity
03
K
H03K 5/003 (2006.01) H03K 3/356 (2006.01) H03K 17/10 (2006.01)
Patent
CA 2201853
A high voltage level shifter utilizing only low voltage PMOS and low voltage NMOS devices. The high voltage level shifter is used to distribute the high voltage almost equally among the PMOS devices (P1-P4) and almost equally among the NMOS devices (N1-N4) to meet the device electrical specification of low voltage MOS devices for various breakdown mechanisms. A layout technique is also used to achieve a much higher junction breakdown of N+ drain to P- substrate and a better gated diode breakdown of NMOS devices (N1 and N2).
L'invention concerne une unité de changement du niveau d'une haute tension utilisant uniquement des dispositifs PMOS basse tension et des dispositifs NMOS basse tension. L'unité de changement du niveau d'une haute tension est utilisé pour répartir la haute tension d'une manière pratiquement égale entre les dispositifs PMOS (P1-P4) et entre les dispositifs NMOS (N1-N4) pour satisfaire aux spécifications électriques relatives aux dispositifs MOS basse tension, pour les différents mécanismes de claquage. Une technique d'implantation est également utilisée pour augmenter considérablement la tension de claquage à la jonction entre le drain N+ et le substrat P et pour obtenir un meilleur claquage des diodes déclenchées par intervalles, des dispositifs NMOS (N1 & N2).
Blyth Trevor
Tran Hieu Van
Information Storage Devices Inc.
Riches Mckenzie & Herbert Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1343356