C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 16/32 (2006.01) C04B 35/56 (2006.01) C04B 35/571 (2006.01) C23C 16/01 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01) G11B 5/706 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01)
Patent
CA 2099833
Silicon carbide is produced by chemical vapor deposition at temperatures from 1340-1380°C, deposition chamber pressures of 180-200 torr, H2/methyltrichlorosilane ratio of 4-10 and deposition rate of 1-2 µm/min. Furthermore, H2 supplied as a part of the gas stream contains less than about 1 part per million (ppm) O2 gas, and various means are provided to exclude particulate material from the deposition chamber. The silicon carbide is polishable to <5 .ANG. RMS as measured on a Talystep mechanical profiler and has a thermal conductivity of at least about 300 W/mk. The silicon carbide is particularly suitable for applications where high polishability and thermal conductivity is desired, such as hard disc drives and read/write heads of head-disc assemblies, and also optical apparatus which require a very high polish.
Le carbure de silicium est produit par dépôt de vapeur chimique à des températures de 1340-1380 degrés C, à des pressions de chambre de 180-200 torrs, à un rapport H2/méthyltrichlorosilane de 4-10 et à une vitesse de dépôt de 1-2 microns/min. Le H2 de l'alimentation gazeuse renferme moins d'environ 1 partie par million (ppm) de O2 gazeux, et divers moyens sont prévus pour exclure les matières particulaires de la chambre de sédimentation. Le carbure de silicium est polissable à <5 ANG.RMS, valeur mesurée à l'aide d'un système Talystep, et possède une conductivité thermique d'au moins 300 W/mk. Le carbure de silicium convient particulièrement bien pour les applications où un poli poussé et une conductivité thermique élevée sont recherchés, notamment dans les unités de disques durs et les têtes de lecture/enregistrement des ensembles tête-disque, et dans des appareils optiques nécessitant un poli poussé.
Burns Lee E.
Goela Jitendra S.
Pickering Michael A.
Cvd Inc.
Gowling Lafleur Henderson Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2052484