Highly sensitive piezoresistive element

G - Physics – 01 – D

Patent

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Details

G01D 5/56 (2006.01) G01L 9/06 (2006.01) G01P 15/09 (2006.01) G01P 15/12 (2006.01) G01V 1/18 (2006.01)

Patent

CA 2666839

A mechanical-to-electrical sensing structure has first and second movable blocks formed in a handle layer. A first hinge is coupled to the first and second movable blocks and configured to resist loads other than flexing of the first hinge. A first gauge is separated from the first hinge and aligned to provide that a moment tending to rotate one of the first or second blocks relative to the other about the first hinge and applies a tensile or compressive force along a length of the first gauge. The first gauge is formed from a device layer with an oxide between the device and handle layers, and the sensing structure is made from an SOI wafer.

L'invention concerne une structure de détection électro-mécanique qui présente un premier et un second bloc mobile formés dans une couche de traitement. Une première charnière est couplée au premier et au second bloc mobile et est configurée de sorte à résister à des charges autres que la flexion de la première charnière. La première charnière est formée dans la couche de traitement. Une première jauge est séparée de la première charnière et alignée pour faire en sorte qu'un moment, tendant à faire tourner le premier ou le second bloc par rapport à l'autre autour de la première charnière, applique une force de traction ou de compression sur la longueur de la première jauge. La première jauge est formée à partir d'une couche de dispositif, un oxyde étant situé entre les couches de dispositif et de traitement. Ladite structure de détection est produite à partir d'une plaquette SOI, et la première jauge est protégée, pendant une gravure du matériau de traitement sous la première jauge, par un oxyde situé entre les couches de dispositif et de traitement et par un oxyde ou nitrure résistant à la gravure situé sur les surfaces extérieures de la première jauge.

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