H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/80 (2006.01) H01L 21/338 (2006.01) H01L 29/772 (2006.01) H01L 29/808 (2006.01) H01L 29/24 (2006.01)
Patent
CA 2395264
A horizontal SiC JFET including a high-mobility-carrier channel region is manufactured with high yield using an n-type SiC substrate. The horizontal JFET comprises an n-type SiC substrate (1n), p-type SiC film (2) formed on the front surface of the n-type SiC substrate, n-type SiC film (3) formed on a p- type SiC film and including a channel region (11), source and drain regions (22, 23) formed on the n-type SiC film and separated by the channel region, and a gate electrode (14) formed in contact with the n-type SiC substrate (in).
Selon l'invention, on fabrique avec un très bon rendement un transistor à effet de champ, à jonction, à base de SiC, comprenant une région de canal à porteurs haute mobilité, en utilisant un substrat de SiC du type N. Ce transistor à effet de champ, à jonction horizontale, comprend un substrat de SiC de type N (1N), une couche mince de SiC de type P (2) formée sur la surface avant du substrat de SiC de type N, une couche mince de SiC de type N (3) formée sur la couche mince de type P et comprenant une région de canal (11), des régions source et drain (22, 23) formées sur la couche mince de SiC de type N et séparées par la région de canal, ainsi qu'une électrode de grille (14) formée de manière à être en contact avec le substrat de SiC de type N (1N).
Harada Shin
Hirotsu Kenichi
Marks & Clerk
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1490576