Hybrid vertical cavity laser with buried interface

Details Hybrid vertical cavity laser with buried interface Hybrid vertical cavity laser with buried interface

H - Electricity

01

S

H01S 5/00 (2006.01) H01S 3/08 (2006.01) H01S 5/183 (2006.01)

Patent

CA 2477541

A vertical cavity laser (Figure 3 )includes an optical cavity (116) adjacent to a first mirror (112), the optical cavity (116) having a semiconductor portion (130) and a dielectric spacer layer (160). A dielectric DBR (114) is deposited adjacent to the dielectric spacer layer (160). The interface (162) between the semiconductor portion (130) of the optical cavity (116)and the dielectric spacer layer (160) is advantageously located at or near a null (164) in the optical standing wave intensity pattern (166) of the vertical cavity laser ( Figure 3 ) to reduce the losses or scattering associated with that interface (162).

L'invention concerne un laser à cavité verticale comprenant une cavité optique adjacente à un premier miroir, la cavité optique présentant une partie semi-conductrice et une couche d'espacement diélectrique. Un réflecteur de Bragg distribué diélectrique est déposé de manière adjacente par rapport à la couche d'espacement diélectrique. L'interface entre la partie semi-conductrice de la cavité optique et la couche d'espacement diélectrique présente un caractère avantageux en ce qu'elle est située au niveau d'un point zéro ou à proximité de celui-ci dans le diagramme d'intensité d'onde stationnaire optique du laser à cavité verticale, de manière à réduire les pertes ou la diffusion associées à cette interface.

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