G - Physics
01
N
G01N 27/12 (2006.01) G01N 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2330573
The invention describes a hydrogen sensor having a semiconductor layer which is sensitive to hydrogen as a function of temperature and a covering layer which is selectively permeable to hydrogen. It is proposed for the semiconductor layer to consist of strontium titanate, SrTiO3, which, in order to compensate for its temperature sensitivity, is assigned a further strontium titanate layer which is covered by a covering layer which selectively filters hydrogen and has a different conductivity characteristic profile from the first semiconductor layer. The covering layer. consists of silicon dioxide, SiO2, or silicon nitride, Si3N4. The strontium titanate layers are sintered and/or annealed in an oxygen atmosphere.
L'invention concerne un détecteur pour hydrogène présentant une couche semi-conductrice sensible à l'hydrogène en fonction de la température et une couche de recouvrement perméable sélectivement à l'hydrogène. L'invention est caractérisée en ce que la couche semi-conductrice est constituée par du titanate de strontium SrTiO3, à laquelle est associée, pour compenser sa sensibilité à la température, une autre couche de titanate de strontium qui est recouverte par une couche de recouvrement filtrant sélectivement l'hydrogène et dont l'allure de la caractéristique de conductibilité est différente de celle de la première couche semi-conductrice. La couche de recouvrement est constituée par du dioxyde de silicium SiO2, ou par du nitrure de silicium Si3N4. Les couches de titanate de strontium sont frittées et/ou recuites sous atmosphère d'oxygène.
Jonda Sven
Meixner Hans
Aktiengesellschaft Siemens
Fetherstonhaugh & Co.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1697512