Iii/v semiconductor

Details Iii/v semiconductor Iii/v semiconductor

H - Electricity

01

S

H01S 5/026 (2006.01) H01S 5/323 (2006.01)

Patent

CA 2594947

The invention relates to a monolithic integrated semiconductor structure comprising a carrier layer based on doped Si or doped GaP and a III/V semiconductor arranged on said carrier layer, with the composition Gaxlny- NaAsbPcSbd, where x = 70 - 100 mol, y = 0 - 30 mol %, a = 0.5 - 15 mol %, b = 67.5 99.5 mol %, c = 0 32.0 mol %, and d = 0 - 15 mol %. According to the invention, x and y always add up to 100 mol %, and a, b, c and d always add up to 100 mol %. The ratio of the sums of x and y to a, b, c and d is essentially equal to 1:1. The invention also relates to a method for the production of said semiconductor structure, and to the use thereof for producing light- emitting diodes and laser diodes, or modulator and detector structures that are monolithically integrated into integrated circuits based on Si or GaP technology.

L'invention concerne une structure semi-conductrice monolithique intégrée comprenant une couche de support à base de Si dopé ou de GaP dopé et/ou un semi-conducteur III/V de composition GaxIny-NaAsbPcSbd, qui est disposé sur cette couche de support. Dans la composition GaxIny-NaAsbPcSbd : x représente 70-100 % molaire ; y représente 0-30 % molaire ; a représente 0,5-15 % molaire ; b représente 67,5-99,5 % molaire ; c représente 0-32 % molaire, et ; d représente 0-15 % molaire. Selon l'invention, l'addition de x et y équivaut toujours à 100 % molaire, et l'addition de a, b, c, et d équivaut toujours à 100 % molaire. De plus, le rapport des sommes de x et y d'une part, et de a, b, c, et d d'autre part est sensiblement égal à 1:1. Cette invention concerne également un procédé de production de ladite structure, de nouveaux semi-conducteurs, l'utilisation de ces semi-conducteurs pour produire des diodes électroluminescentes et des diodes laser, ou des structures de modulateur et de détecteur qui sont intégrées monolithiquement dans des circuits intégrés fondés sur la technologie Si ou GaP.

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