G - Physics – 03 – F
Patent
G - Physics
03
F
G03F 7/20 (2006.01) G02B 27/00 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/268 (2006.01)
Patent
CA 2222110
An illumination system used in photolithography for the manufacture of semiconductors having an array optical element with different illumination regions matched to different geometric pattern regions on a reticle. The array optical element may be a filter, diffractive optical element, or microlens array having illumination regions producing different types of illumination properties or characteristics such as quadrupole, annular, or top hat among others. Each of the illumination regions are matched or correspond to a respective pattern region on the reticle to provide optimized exposure of a photosensitive resist covered wafer. The optical element of the present invention may be used to tailor a conventional illumination system to the unique characteristics of a particular reticle. Additionally, imperfections in the optics of a photolithographic system can be compensated for by the optical element. This facilitates the manufacture of semiconductor devices having decreasing feature sizes while improving qualify and increasing yield.
L'invention est un dispositif d'éclairage utilisé en photolithographie pour la fabrication des dispositifs à semi-conducteur. Le dispositif de l'invention est un réseau optique à plusieurs régions d'éclairage adaptées aux différentes régions d'une configuration géométrique sur un réticule. Ce réseau optique peut être un filtre, un réseau de diffraction ou un réseau de microlentilles dont les régions d'éclairage ont des propriétés ou des caractéristiques différentes: quadripolaires, annulaires, «top hat», etc. Chacune des régions d'éclairage est adaptée à l'une des régions de la configuration sur le réticule ou correspond à l'une de ces régions pour optimiser l'exposition des plaquettes couvertes de résine photosensible. Le réseau optique de la présente invention permet d'adapter un dispositif d'éclairage courant aux caractéristiques particulières d'un réticule donné. De plus, il permet de corriger les imperfections des éléments optiques d'un système photolithographique. Il facilite la fabrication des dispositifs à semi-conducteur en améliorant la qualité et en accroissant le rendement.
Gallatin Gregg
Mccullough Andrew W.
Osler Hoskin & Harcourt Llp
Svg Lithography Systems Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1782525