H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/0248 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01)
Patent
CA 2542250
An improved imaging array (and corresponding method of operation) includes a plurality of heterojunction thyristor-based pixel elements disposed within resonant cavities formed on a substrate. Each thyristor-based pixel element includes complementary n-type and p-type modulation doped quantum well interfaces that are spaced apart from one another. Incident radiation within a predetermined wavelength resonates within the cavity of a given pixel element for absorption therein that causes charge accumulation. The accumulated charge is related to the intensity of the incident radiation. The heterojunction- thyristor-based pixel element is suitable for many imaging applications, including CCD-based imaging arrays and active-pixel imaging arrays.
La présente invention concerne un réseau d'imagerie (et un procédé de fonctionnement correspondant) qui comprend une pluralité d'éléments de pixel à base de thyristor à hétérojonction placés à l'intérieur de cavités résonantes formées sur un substrat. Chaque élément de pixel à base de thyristor comprend des interfaces de puits cantique dopé à modulation de type p et de types n complémentaire qui sont espacées l'une de l'autre. Un rayonnement incident dans une longueur d'onde prédéterminée résonne à l'intérieur de la cavité d'un élément de pixel donné en vue d'une absorption dans cette cavité qui entraîne l'accumulation d'une charge. La charge accumulée est liée à l'intensité du rayonnement incident. L'élément de pixel à base de thyristor à hétérojonction convient pour de nombreuses applications d'imagerie, notamment des réseaux d'imagerie à base de CCD et des réseaux d'imagerie à pixels actifs.
Opel Inc.
Smart & Biggar
The University Of Connecticut
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1568891