G - Physics – 01 – T
Patent
G - Physics
01
T
G01T 1/24 (2006.01) G01T 1/29 (2006.01) H01L 27/146 (2006.01) H01L 27/148 (2006.01) H04N 5/32 (2006.01) H04N 5/325 (2006.01) H04N 3/15 (2006.01) H04N 5/335 (2006.01)
Patent
CA 2191100
An imaging device comprises a semiconductor substrate (16) including an array of pixel cells. Each pixel cell comprising an individually addressable pixel circuit (18) for accumulating charge resulting from radiation incident on a pixel detector. The pixel circuit and the pixel detector can either be implemented on a single substrate or on two substrates bonded together. The charge storage device can be a transistor, for example one of a pair of FETs connected as a cascade amplification stage. An imaging plane can be made up of one imaging device or a plurality of imaging devices tiled to form a mosaic. The imaging devices may be configured as a slot for certain applications, the slit or slot being scanned over the imaging plane. Control electronics (24) can include addressing logic for addressing individual pixel circuits for reading accumulated charge from the pixel circuits. Imaging optimisation can be achieved by determining maximum and minimum charge values for pixels for display, assigning extreme grey scale or colour values to the maximum and minimum charge values and allocating grey scale or colour values to an individual pixel according to a sliding scale between the extreme values. Scattered radiation can be detected and discarded by comparing the detected pixel value to a threshold value related to a minimum detected charge value expected for directly incident radiation and discarding detected pixel values less than said threshold value.
Un dispositif d'imagerie comprend un substrat semi-conducteur (16) comportant un ensemble de cellules pixels. Chaque cellule pixel comprend un circuit pixel (18) individuellement adressable afin d'accumuler une charge provenant du rayonnement incident sur un détecteur de pixels. Le circuit pixels et le détecteur de pixels peuvent être installés soit sur un substrat unique, soit sur deux substrats réunis. Le dispositif de stockage de charge peut être un transistor, par exemple un transistor d'une paire de transistors à effet de champ montés en étage d'amplification en cascade. Un plan de génération d'images peut être constitué d'un générateur d'images ou d'une pluralité de générateurs d'images juxtaposés afin de former une mosaïque. Les générateurs d'images peuvent avoir la configuration d'une fente dans certaines applications, cette fente faisant l'objet d'un balayage depuis le plan de génération d'images. Les logiques de commande (24) peuvent comporter une logique d'adressage gérant l'addressage des circuits pixels individuels afin de lire dans les circuits pixels la charge accumulée. On peut obtenir une optimisation d'image en déterminant les valeurs de charge maximum et minimum des pixels destinés à l'affichage, en affectant une échelle de gris extrême ou des valeurs de couleur aux valeurs de charge maximum et minimum et en attribuant l'échelle de gris ou les valeurs de couleur à un pixel individuel selon une échelle variable entre les valeurs extrêmes. On peut détecter et supprimer un rayonnement de diffraction en comparant la valeur de pixel détectée à une valeur de seuil correspondant à une valeur de charge détectée minimum, attendue pour un rayonnement directement incident, et en supprimant les valeurs de pixel détectées, inférieures à cette valeur de seuil.
Orava Risto Olavi
Pyyhtia Jouni Ilari
Sarakinos Miltiadis Evangelos
Schulman Tom Gunnar
Spartiotis Konstantinos Evangelos
Aktiengesellschaft Siemens
Ridout & Maybee Llp
Simage Oy
LandOfFree
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