Implantation of radioactive p32 atoms

Details Implantation of radioactive p32 atoms Implantation of radioactive p32 atoms

H - Electricity

01

J

H01J 37/32 (2006.01) G21G 4/08 (2006.01) H01J 27/18 (2006.01) H01J 37/317 (2006.01) H05H 1/46 (2006.01) H05H 3/02 (2006.01) A61L 31/14 (2006.01) A61M 36/04 (2006.01)

Patent

CA 2314953

An installation for doping stents with radio active and non radio active atoms, comprising an ECR ion source with an extraction device, a mass separation device and an irradiation chamber in which the stents are exposed to a selected partial ion beam. Microwaves are injected by means of a tubular piece which is concentric to the plasma chamber and which can be displaced axially. Gaseous additives to the plasma are selected in such a way that a partial beam with a sufficient proportion of radio active atomic or molecular ions can be produced. Stents which are irradiated according to this method in said installation are characterised by a reliably quantified degree of radio activity.

L'invention concerne une installation servant à doper des extenseurs avec des atomes radioactifs et non radioactifs. Cette installation comprend une source d'ions à résonance cyclotronique des électrons avec un dispositif d'extraction, un dispositif de séparation des masses et une chambre d'irradiation dans laquelle les extenseurs sont exposés à l'action du rayonnement ionisant partiel. L'injection de micro-ondes s'effectue par l'intermédiaire d'une pièce tubulaire concentrique à la chambre de plasma et pouvant coulisser dans le sens axial. Des additifs gazeux à ajouter au plasma sont sélectionnés de manière à pouvoir produire dans le séparateur de masses, un rayonnement partiel comportant une part suffisante d'ions atomiques ou d'ions moléculaires. Dans une installation de ce type, les extenseurs irradiés d'après ledit procédé se caractérisent par une radioactivité quantifiée de manière fiable.

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