Improved window for gan led

Details Improved window for gan led Improved window for gan led

H - Electricity

01

L

H01L 33/36 (2010.01) H01L 33/02 (2010.01) H01L 33/40 (2010.01)

Patent

CA 2412416

A window structure for Gallium Nitride based Light Emitting Diode comprises: an Mg+ doped P window layer (109) of GaN compound; a thin semi-transparent metal contact layer (110); an amorphous current spreading layer (111) formed on the contact layer. The contact layer is formed of NiOx/Au; and the current spreading layer is formed of Indium Tin Oxide. The P electrode (112) of the diode comprises a titanium adhesion layer which forms an ohmic connection with the current spreading layer and a Shottky diode connection with the Mg+ doped window layer.

La présente invention concerne une structure de fenêtre destinée à une diode photoémissive à base de nitrure de Gallium qui comprend: une couche (109) de fenêtre Mg+ P dopée d'un composé GaN, une mince couche (110) de contact métallique semi-transparente, une couche (111) de diffusion de courant amorphe formée sur la couche de contact. Cette couche de contact est constituée de NiOx/Au, et la couche de diffusion de courant est constituée d'oxyde d'étain indium. L'électrode (112) P de la diode comprend une couche d'adhésion de titane qui forme une connexion ohmique avec la couche de diffusion de courant et une connexion de diode Shottky avec la couche de fenêtre Mg+ dopée.

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