H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/00 (2006.01) C23C 14/54 (2006.01) C23C 14/56 (2006.01) F04B 37/02 (2006.01) F04B 37/08 (2006.01)
Patent
CA 2203904
A wafer processing system including a processing chamber, a low pressure pump coupled to the processing chamber for pumping noble and non-noble gases, a valve mechanism coupling a source of noble gas to the processing chamber, an in situ getter pump disposed within the processing chamber which pumps certain non-noble gases during the flow of the noble gas into the chamber, and a processing mechanism for processing a wafer disposed within the processing chamber. Preferably, the in situ getter pump can be operated at a number of different temperatures to preferentially pump different species of gas at those temperatures. A gas analyzer is used to automatically control the temperature of the getter pump to control the species of gases that are pumped from the chamber. A method for processing a wafer of the present invention includes the steps of placing a wafer within a processing chamber and sealing the chamber, flowing a noble gas into the chamber while simultaneously pumping the chamber with an external low pressure pump and with an in situ getter pump disposed within the chamber which pumps non-noble gases, and processing the wafer within the chamber while the noble gas continues to flow. The method also preferably includes the steps of monitoring the composition of the gas within the chamber and controlling the temperature of the getter material based upon the analysis of the composition.
Un système de traitement de tranches de semi-conducteurs comprend une chambre de traitement, une pompe basse pression couplée à la chambre de traitement et servant à pomper les gaz nobles et non nobles, un mécanisme à vanne couplant une source de gaz noble à la chambre de traitement, une pompe getter in situ placée à l'intérieur de la chambre de traitement, qui pompe certains gaz non nobles lors de l'écoulement du gaz noble dans cette chambre, et un mécanisme de traitement destiné à traiter une tranche placée à l'intérieur de la chambre de traitement. La pompe getter in situ peut être actionnée de préférence à différentes températures afin de pomper de préférence différentes qualités de gaz à ces températures. Un analyseur de gaz est utilisé pour réguler automatiquement la température de la pompe getter et contrôler les qualités des gaz qui sont pompées dans la chambre. Le procédé de traitement d'une tranche de la présente invention consiste à placer une tranche à l'intérieur d'une chambre de traitement et à fermer hermétiquement la chambre, à provoquer l'écoulement d'un gaz noble dans la chambre tout en pompant simultanément son contenu avec une pompe externe basse pression et une pompe getter in situ, placée à l'intérieur de la chambre et pompant les gaz non nobles, et à traiter la tranche se trouvant dans la chambre alors que le gaz noble continue de s'écouler. Le procédé consiste également de préférence à contrôler la composition du gaz dans la chambre et à réguler la température du getter en fonction de l'analyse de la composition.
Krueger Gordon P.
Lorimer D'arcy H.
Saes Pure Gas Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1543781