In situ method for metalizing a semiconductor catalyst

Details In situ method for metalizing a semiconductor catalyst In situ method for metalizing a semiconductor catalyst

B - Operations, Transporting

01

J

B01J 37/34 (2006.01) B01D 53/86 (2006.01) B01D 53/88 (2006.01) B01J 19/12 (2006.01) B01J 21/06 (2006.01) B01J 35/00 (2006.01) B01J 35/06 (2006.01) B01J 37/02 (2006.01)

Patent

CA 2253707

A semiconductor catalyst is metalized in situ on a reaction support surface by illuminating at least a portion of the catalyst in the presence of a suitable source of metal to selectively deposit the metal on the illuminated portions. The source of metal can be applied to the reaction support surface either with the catalyst or separately, but is not attached to the catalyst until the structure is illuminated. This causes the metal to be deposited where the catalyst will be illuminated during use and therefore where photopromoted catalytic degradation can occur.

Un semi-conducteur est métallisé in situ sur une surface de support de réaction par exposition à la lumière d'au moins une partie du catalyseur en présence d'une source appropriée de métal pour produire un dépôt sélectif du métal sur les parties exposées à la lumière. La source de métal peut être appliquée sur la surface de support de réaction soit avec le catalyseur soit séparément mais elle n'est pas fixée au catalyseur aussi longtemps que la structure n'est pas exposée à la lumière. On entraîne ainsi un dépôt du métal là où le métal est exposé à la lumière pendant l'utilisation et, partant, là où peut se produire une dégradation catalytique photostimulée.

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