Increased polysilicon deposition in a cvd reactor

Details Increased polysilicon deposition in a cvd reactor Increased polysilicon deposition in a cvd reactor

C - Chemistry, Metallurgy

30

B

C30B 25/08 (2006.01) C23C 16/24 (2006.01) C23C 16/46 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01)

Patent

CA 2650722

A method and process for the production of bulk polysilicon by chemical vapor deposition (CVD) where conventional silicon "slim rods" commonly used in Siemens-type reactors are replaced with shaped silicon filaments of similar electrical properties but larger surface areas, such as silicon tubes, ribbons, and other shaped cross sections. Silicon containing gases, such as chlorosilane or silane, are decomposed and form a silicon deposit on the hot surfaces of the filaments The larger starting surface areas of these filaments ensures a higher production rate without changing the reactor size, and without increasing the number and length of the filaments. Existing reactors need only the adaptation or replacement of filament supports to use the new filaments. The filaments are grown from silicon melt by Edge-defined, Film-fed Growth (EFG) method. This also enables the doping of the filaments and simplification of power supplies for new reactors.

L'invention concerne une méthode et un procédé de fabrication de silicium polycristallin massif par un dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisés en ce que les 'barres minces' de silicium habituellement utilisées dans des réacteurs de type Siemens sont remplacées par des filaments de silicium façonnés avec des propriétés électriques similaires mais de plus grande surface spécifique, en forme de tubes de silicium, de rubans, et d'autres sections façonnées. Des gaz contenant du silicium, tels que le chlorosilane ou le silane, sont décomposés et forment un dépôt de silicium sur les surfaces chaudes des filaments. Les surfaces spécifiques initiales plus importantes de ces filaments permettent d'atteindre une cadence de production supérieure sans modifier la taille du réacteur et sans augmenter le nombre ni la longueur des filaments. Les réacteurs existants ne nécessitent qu'une adaptation ou un remplacement des supports des filaments pour utiliser les nouveaux filaments. Les filaments sont préparés par croissance à partir de silicium fondu par le procédé EFG de tirage en filière. Cela permet également de doper les filaments et de simplifier les alimentations des nouveaux réacteurs.

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