Indium-containing wafer and method for production thereof

Details Indium-containing wafer and method for production thereof Indium-containing wafer and method for production thereof

H - Electricity

01

L

H01L 21/30 (2006.01) H01L 21/322 (2006.01)

Patent

CA 2460723

An indium-containing wafer, characterized in that it has a layer for removing mercury which comprises an additional compound semiconductor and is formed on the outermost surface thereof for the purpose of removing the mercury attached on the surface of the layer; a method for producing an indium-containing wafer, characterized in that it comprises attaching mercury on the surface of the layer for removing mercury, evaluating electric characteristics of said wafer by using the mercury as an electrode, and then removing said layer for removing mercury, to thereby remove the mercury attached on the surface of the layer. The indium-containing wafer allows the insured removal of the above mercury, resulting in the application of the mercury C-V method which is used for measuring characteristics of an indium-containing wafer with high precision and also is a nondestructive test.

L'invention porte sur une plaquette contenant de l'indium et qui se caractérise par le fait qu'elle est dotée d'une couche permettant d'ôter du mercure qui comprend un composé semi-conducteur supplémentaire et est formée sur la surface la plus externe de ce dernier dans le but d'ôter le mercure fixé à la surface de la couche ; sur un procédé de production de plaquette contenant de l'indium et qui se caractérise par le fait qu'il consiste à fixer du mercure sur la surface de la couche servant à ôter du mercure, à évaluer les caractéristiques électriques de cette plaquette au moyen du mercure utilisé en tant qu'électrode, puis à ôter la dite couche servant à ôter du mercure, afin d'ôter le mercure fixé sur la surface de la couche. La plaquette contenant de l'indium permet le retrait assuré du mercure susmentionné, ce qui permet l'application du procédé C-V au mercure qui sert à mesurer les caractéristiques d'une plaquette contenant de l'indium avec une haute précision, ce procédé étant un test non destructeur.

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