C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
C30B 29/40 (2006.01)
Patent
CA 2519885
An indium phosphide substrate of low dislocation density excelling in the wafer in-plane and thickness-direction uniformity of dopant concentration, which indium phosphide substrate is used for obtaining a compound semiconductor device excelling in wafer in-plane uniformity of properties, stability and operating life; and a process for producing the same. An indium phosphide single crystal of low dislocation density excelling in the wafer in- plane and thickness-direction uniformity of dopant concentration is produced through a process comprising securing to a lower end of growth vessel a seed crystal having a given sectional area ratio to crystal body so that the direction of crystal growth is set for (100)-orientation; placing an indium phosphide raw material, a dopant and boron oxide in the growth vessel; disposing the growth vessel in a crystal growth furnace; heating at temperature equal to or higher than the melting point of indium phosphide so as to melt the boron oxide, indium phosphide raw material and dopant; and lowering the temperature of the growth vessel.
Un substrat de phosphure d'indium ayant une faible densité de dislocation présente une excellente uniformité de concentration de dopant dans les directions en plan et de l'épaisseur d'une tranche. Ce substrat de phosphure d'indium est utilisé pour obtenir un dispositif semi-conducteur composé qui présente une excellente uniformité des propriétés en plan d'une tranche, ainsi que d'excellentes stabilité et durée de vie. L'invention concerne aussi le procédé de fabrication correspondant. Un cristal unique de phosphure d'indium ayant une faible densité de dislocation qui présente une excellente uniformité de concentration de dopant dans les directions en plan et de l'épaisseur d'une tranche est fabriqué par un procédé qui consiste en ce qui suit: solidariser à une extrémité inférieure du récipient de tirage un cristal de grain possédant un rapport donné de surface de coupe par rapport au corps de cristal, de manière à ce que la direction du tirage du cristal soit réglée sur une orientation (100)-; placer une matière première de phosphure d'indium, un oxyde de bore et un dopant dans le récipient de tirage; disposer le récipient de tirage dans un four de tirage de cristaux; augmenter la température jusqu'à une valeur égale ou supérieure au point de fusion du phosphure d'indium de manière à provoquer la fusion de l'oxyde de bore, de la matière première de phosphure d'indium et du dopant; et réduire la température du récipient de fusion.
Kawase Tomohiro
Marks & Clerk
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
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