Inducing tilted parallel alignment in liquid crystals

G - Physics – 02 – F

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G02F 1/1337 (2006.01)

Patent

CA 2123658

A substrate is treated prior to use to induce a near-parallel orientation of a liquid crystal director relative to the substrate. A layer of silica is deposited on the substrate by in-line magnetron sputtering as the substrate is moved past the sputtering target, and the silica-coated substrate is thereafter treated with an alcohol that is selected from one of two classes of alcohols: (1) alcohols having an aromatic ring structure on one end of an aliphatic chain and a hydroxy group on the other end, with or without at least one ether group in the chain, and (2) an aliphatic chain having a hydroxy group at one end and at least one ether linkage in the chain. An example is 2-phenylethanol. The alcohol-treated substrate is covered with a layer of the liquid crystal. The process of the invention induces a tilt to the director of the liquid crystal. The tilt is about 0.5° to 4°, as measured parallel to the surface of the substrate.

Avant son utilisation, un substrat est traité de façon à donner à l'axe directeur d'un cristal liquide une orientation presque parallèle à celui du substrat. Une couche de silice est déposée sur le substrat par pulvérisation cathodique à magnétron en ligne, à mesure que le substrat est déplacé devant la cible de pulvérisation; le substrat revêtu de silice est ensuite traité avec un alcool, choisi parmi les deux classes d'alcools suivantes : 1) alcools dont une extrémité présente une structure à noyau aromatique, et l'autre une chaîne aliphatique avec un hydroxy, avec au moins un groupe éther ou alors sans groupe éther dans la chaîne ; 2) alcools avec une chaîne aliphatique renfermant un groupe hydroxy à l'une des extrémités et au moins un lien éther dans la chaîne. Exemple : 2-phényléthanol. Le substrat traité à l'alcool est recouvert d'une couche du cristal liquide. Le procédé de l'invention donne une certaine inclinaison à l'axe du cristal liquide. Cette inclinaison est d'environ 0,5 à 4 degrés, lorsqu'elle est mesurée parallèlement à la surface du substrat.

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