Insulated gate bipolar transistor

Details Insulated gate bipolar transistor Insulated gate bipolar transistor

H - Electricity

01

L

H01L 29/12 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 29/739 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01)

Patent

CA 2739570

An IGBT (1), which is capable of reducing on resistance by reducing channel mobility, includes an n type substrate (11) made of SiC and having a main surface (11A) with an off angle of not less than 50° and not more than 65° relative to a plane orientation of {0001}, a p type reverse breakdown voltage holding layer (13) made of SiC and formed on the main surface (11A) of the substrate (11); an n type well region (14) formed to include a second main surface (13B) of the reverse breakdown voltage holding layer (13); an emitter region (15) formed in the well region (14) to include the second main surface (13B) and including a p type impurity at a concentration higher than that of the reverse breakdown voltage holding layer (13), a gate oxide film (17) formed on the reverse breakdown voltage holding layer (13), and a gate electrode (19) formed on the gate oxide film (17) In a region including an interface between the well region (14) and the gate oxide film (17), a high-concentration nitrogen region (22) is formed to have a nitrogen concentration higher than those of the well region (14) and the gate oxide film (17)

L'invention concerne un IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) (1) capable de réduire la résistance à l'état passant en faisant décroître la mobilité du canal. L'IGBT (1) comprend : un substrat de type n (11) composé de SiC et ayant une surface principale (11A) présentant un angle de dépointage par rapport à la direction du plan {0001} non inférieur à 50° mais non supérieur à 65° ; une couche (13) de maintien de la tension de tenue de type p (13) qui est composée de SiC et est formée sur la surface principale (11A) du substrat (11) ; une région de puits de type n (14) qui est formée de façon à contenir une seconde surface principale (13B) de la couche de maintien de tension de tenue (13) ; une région d'émetteur (15) qui est formée à l'intérieur de la région de puits (14) de façon à contenir la seconde surface principale (13B) et qui contient une impureté de type p à une concentration plus élevée que la couche de maintien de tension de tenue (13) ; un film d'oxyde de grille (17) qui est formé sur la couche de maintien de tension de tenue (13) ; et une électrode de grille (19) formée sur le film d'oxyde de grille (17). Dans l'IGBT (1), une région à haute concentration en azote (22) ayant une concentration en azote supérieure à celle de la région de puits (14) et du film d'oxyde de grille (17) est formée dans une région qui contient l'interface entre la région de puits (14) et le film d'oxyde de grille (17).

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