Integrated circuit device with deep trench isolation regions...

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H - Electricity

01

L

H01L 21/8244 (2006.01) H01L 27/11 (2006.01)

Patent

CA 2757776

Disclosed are embodiments of an improved integrated circuit device structure (200) (e.g., a static random access memory array structure or other integrated circuit device structure incorporating both P-type and N-type devices) (121a and 121b) and a method of forming the structure that uses DTI regions (160) for all inter- well and intra- well isolation and, thereby provides a low-cost isolation scheme that avoids FET width variations due to STIDTI misalignment. Furthermore, because the DTI regions (160) used for intra- well isolation effectively create some floating well sections, (203) which must each be connected to a supply voltage (e.g., Vdd) (280) to prevent threshold voltage (Vt) variations, the disclosed integrated circuit device also includes a shared contact (280) to a junction between the diffusion regions (221 and 222) of adjacent devices (121a and 121b) and an underlying floating well section (205). This shared contact (280) eliminates the cost and area penalties that would be incurred if a discrete supply voltage contact was required for each floating well section (205).

Selon l'invention, des modes de réalisation portent sur une structure de dispositif à circuit intégré améliorée (200) (par exemple une structure de matrice de mémoire vive statique ou autre structure de dispositif à circuit intégré incorporant à la fois des dispositifs de type P et de type N) (121a et 121b) et sur un procédé de fabrication de la structure qui utilise des régions d'isolation par tranchée profonde (DTI) (160) pour toute l'isolation inter-puits et intra-puits et permet ainsi d'obtenir un système d'isolation à faible coût qui évite des variations de largeur de transistor à effet de champ (FET) dues à un défaut d'alignement STI-DTI. En outre, étant donné que les régions DTI (160) utilisées pour une isolation intra-puits créent effectivement certaines sections de puits flottantes (203), qui doivent être connectées chacune à une tension d'alimentation (par exemple Vdd) (280) pour éviter des variations de tension de seuil (Vt), le dispositif à circuit intégré décrit comprend également un contact partagé (280) à une jonction entre les régions de diffusion (221 et 222) de dispositifs adjacents (121a et 121b) et une section de puits flottante sous-jacente (205). Ce contact partagé (280) élimine les pénalités en termes de coût et de surface qui seraient encourues si un contact de tension d'alimentation discret était requis pour chaque section de puits flottante (205).

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