Integrated circuit with mosfet fuse element

Details Integrated circuit with mosfet fuse element Integrated circuit with mosfet fuse element

H - Electricity

01

L

H01L 23/525 (2006.01) G11C 17/16 (2006.01) H01L 27/10 (2006.01)

Patent

CA 2713153

At least one MOS parameter of a MOS fuse (200) is characterized to provide at least one MOS parameter reference value. Then, the MOS fuse (200) is programmed by applying a programming signal to the fuse terminals (204, 206) so that programming current flows through the fuse link (202). The fuse resistance is measured to provide a measured fuse resistance associated with a first logic value. A MOS parameter of the programmed MOS fuse is measured to provide a measured MOS parameter value. The measured MOS parameter value is compared to the reference MOS parameter value to determine a second logic value of the MOS fuse, and a bit value is output based on the comparison.

Selon l'invention, au moins un paramètre MOS d'un fusible MOS (200) est caractérisé pour fournir au moins une valeur de référence de paramètre MOS. Ensuite, le fusible MOS (200) est programmé par application d'un signal de programmation aux bornes de fusible (204, 206) de telle sorte qu'un courant de programmation circule à travers la liaison de fusible (202). La résistance de fusible est mesurée pour fournir une résistance de fusible mesurée associée à une première valeur logique. Un paramètre MOS du fusible MOS programmé est mesuré pour fournir une valeur de paramètre MOS mesurée. La valeur de paramètre MOS mesurée est comparée à la valeur de paramètre MOS de référence pour déterminer une seconde valeur logique du fusible MOS, et une valeur binaire est émise sur la base de la comparaison.

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