Integrated nanotube and field effect switching device

Details Integrated nanotube and field effect switching device Integrated nanotube and field effect switching device

H - Electricity

03

K

H03K 19/20 (2006.01)

Patent

CA 2570486

Hybrid switching devices (10) integrate nanotube switching elements (20) with field effect devices (30), such as NFETs and PFETs. A switching device forms and unforms a conductive channel from the signal input to the output subject to the relative state of the control input. In embodiments of the invention, the conductive channel includes a nanotube channel element (20) and a field modulatable semiconductor channel element (30). The switching device may include a nanotube switching element and a field effect device electrically disposed in series. According to one aspect of the invention, an integrated switching device is a four-terminal device with a signal input terminal (25), a control input terminal (40~), a second input terminal (40), and an output terminal (45). The devices may be non-volatile. The devices can form the basis for a hybrid NT-FET logic family and can be used to implement any Boolean logic circuit.

Des dispositifs de commutation hybrides intègrent des éléments de commutation à nanotube intégré avec des dispositifs à effet de champ, du type NFET et PFET. Un dispositif de commutation forme et rompt un canal conducteur entre l'entrée du signal et la sortie en fonction de l'état relatif de l'entrée de commande. Dans certains modes de réalisation de l'invention, ce canal conducteur comporte un élément canal à nanotube et un élément canal à semi-conducteur dont le champ peut être modulé. Le dispositif de commutation peut comporter un élément de commutation à nanotube et un dispositif à effet de champ reliés électriquement en série. Conformément à un aspect de l'invention, un dispositif de commutation intégré est un dispositif à quatre bornes incluant une borne d'entrée du signal, une borne d'entrée de commande, une seconde borne d'entrée et une borne de sortie. Les dispositifs peuvent être des dispositifs non volatils. Ces dispositifs peuvent former la base d'une famille de circuits logiques hybrides NT-FET et peuvent être utilisés pour la mise en oeuvre de tout circuit logique booléen.

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