H - Electricity – 03 – H
Patent
H - Electricity
03
H
H03H 9/02 (2006.01) H01L 27/20 (2006.01) H03H 3/08 (2006.01)
Patent
CA 2516916
A monolithic electronic device includes a substrate, a semi-insulating, piezoelectric Group III-nitride epitaxial layer formed on the substrate, a pair of input and output interdigital transducers forming a surface acoustic wave device on the epitaxial layer and at least one electronic device (such as a HEMT, MESFET, JFET, MOSFET, photodiode, LED or the like) formed on the substrate. Isolation means are disclosed to electrically and acoustically isolate the electronic device from the SAW device and vice versa. In some embodiments, a trench is formed between the SAW device and the electronic device. Ion implantation is also disclosed to form a semi-insulating Group III- nitride epitaxial layer on which the SAW device may be fabricated. Absorbing and/or reflecting elements adjacent the interdigital transducers reduce unwanted reflections that may interfere with the operation of the SAW device.
L'invention concerne un dispositif électronique monolithique comprenant un substrat, une couche épitaxiale de nitrure du Groupe III piézoélectrique semi-isolante formée sur le substrat, deux transducteurs interdigitaux d'entrée et de sortie formant un dispositif à ondes acoustiques de surface sur la couche épitaxiale et au moins un dispositif électronique (tel que, HEMT, MESFET, JFET, MOSFET, photodiode, DEL, ou tout autre dispositif électronique analogue) formé sur le substrat. Cette invention concerne également des moyens d'isolation conçus pour assurer l'isolation électrique et acoustique du dispositif électronique face au dispositif SAW et vice-versa. Dans certains modes de réalisation, une tranchée est formée entre le dispositif SAW et le dispositif électronique. La présente invention concerne également l'implantation ionique permettant de former une couche épitaxiale de nitrure du Groupe III semi-isolante sur laquelle le dispositif SAW peut être fabriqué. Des éléments absorbants et/ou réflechissants adjacents aux transducteurs interdigitaux permettent de réduire les réflexions non souhaitées pouvant gêner le fonctionnement du dispositif SAW.
Cree Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1816907