G - Physics – 02 – B
Patent
G - Physics
02
B
G02B 6/12 (2006.01) G02B 6/132 (2006.01) H04J 14/02 (2006.01)
Patent
CA 2668654
The invention describes an integrated-photonics arrangement, implementable in a multi-guide vertical integration structure composed from IH-V semiconductors and grown in one epitaxial growth run, that allows for vertical and lateral splitting of optical signals co- or bi-directionally propagating in the common passive waveguide into plurality of the vertically integrated passive or active wavelength-designated waveguides, therefore, enabling the wavelength-designated waveguides operating in different wavelengths to be monolithically integrated onto the same substrate and connected to the shared passive waveguide. In the exemplary embodiments of the invention, two active wavelength-designated waveguides, each of which either laser or photodetector, are vertically integrated with a common passive waveguide connected to the input / output optical port shared by both operating wavelengths, to form a single- fiber, two-wavelength receiver (both wavelength-designated waveguides are waveguide photodetectors) or transmitter (both wavelength-designated waveguides are edge- emitting semiconductor injection lasers) or transceiver (one wavelength-designated waveguide is waveguide photodetector and the other - edge-emitting semiconductor injection laser). Advantageously to the previous art, the proposed vertical splitting and lateral routing allows for a reduced footprint size while greatly improving design flexibility and /or device performance.
La présente invention concerne un agencement photonique intégré, apte à être mis en AEuvre dans une structure d'intégration verticale à guides multiples constitué de semi-conducteurs IH-V produits en une passe de croissance épitaxiale, permettant la division verticale et latérale de signaux optiques du type à propagation codirectionnelle ou bidirectionnelle dans le guide d'ondes passif commun en une pluralité des guides d'ondes désignés en longueurs d'onde d'intégration verticale, donc, permettant aux guides d'ondes désignés en longueurs d'onde opérant dans des longueurs d'onde différentes d'être intégrés de manière monolithique sur le même substrat et d'être connectés au guide d'onde passif partagé. Selon des modes de réalisation représentatifs, deux guides d'ondes actifs désignés en longueurs d'onde, dont chacun est soit au laser, soit à photodétecteur, sont verticalement intégrés avec un guide d'ondes passif commun connecté au port optique entrée/sortie partagé par les deux longueurs d'onde de fonctionnement, pour former une fibre unique, un récepteur de deux longueurs d'onde (les deux étant des guides d'ondes désignés en longueurs d'onde sont des photodétecteurs en guide d'ondes ) ou émetteur (les deux étant des guides d'ondes désignés en longueurs d'onde sont des lasers d'injection à semi-conducteurs d'émission périphérique) ou un émetteur/récepteur (l'un étant un guide d'onde désigné en longueur d'onde est photodétecteur en guide d'ondes et l'autre un laser d'injection à semi-conducteurs à émission latérale). De manière avantageuse par rapport à la technique actuelle, la division verticale et le routage latéral selon l'invention permettent une taille d'empreinte réduite tout en améliorant considérablement la flexibilité de conception et/ou la performance du dispositif.
Logvin Yuri
Pimenov Kirill
Tolstikhin Valery
Freedman Gordon
Onechip Photonics Inc.
LandOfFree
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