H - Electricity – 03 – F
Patent
H - Electricity
03
F
H03F 1/30 (2006.01)
Patent
CA 2531018
Prior art architectures of power amplifiers employ a substantial die area, and utilize multiple integrated circuit technologies with a net higher manufacturing cost and large associated packaging area. A new scheme is presented wherein several sense and control signals are used to provide fine and gross control over the key figures of merit associated with integrated semiconductor power amplifiers. How and where these sense and control signals are used is crucial to achieving the most manufacturable and most economic integrated amplifier. In accordance with a first embodiment of the invention, a Dual Feedback-Low power regulation circuit for a three-stage power amplifier integrated circuit is provided. In accordance with a second embodiment of the invention, a current source feedback circuit having low RF output signal power regulation for a three-stage power amplifier integrated circuit is provided. In accordance with a third embodiment of the invention, a detector circuit in the form of an integrated logarithmic current detector circuit in conjunction with a three stage power amplifier integrated circuit. The three embodiments of the invention advantageously overcome the limitations of the prior art.
Les architectures des amplificateurs de puissance telles que connues dans l'état de la technique présentent une zone matricielle principale, et sont associées à des technologies à circuits intégrés multiples présentant un coût de fabrication net supérieur et une zone de conditionnement associée de grande dimension. L'invention concerne un nouveau système dans lequel plusieurs signaux de détection et de commande sont utilisés to provide fine and gross control sur les facteurs de mérite associés aux amplificateurs de puissance à semi-conducteurs intégrés. La manière et l'emplacement dans lequel ces signaux de détection et de commande sont utilisés sont essentiels pour obtenir un amplificateur intégré facile à fabriquer et économique. Dans un premier mode de réalisation, l'invention concerne un circuit de réglage de faible puissance à double rétroaction pour circuit intégré d'amplificateur de puissance à trois étages. Dans un second mode de réalisation, l'invention concerne un circuit de rétroaction de source de courant à réglage de puissance de signal de sortie RF faible pour circuit intégré d'amplificateur de puissance à trois étages. Dans un troisième mode de réalisation, l'invention concerne un circuit de détection se présentant sous forme de circuit de détection de courant logarithmique intégré conjointement à un circuit intégré d'amplificateur de puissance à trois étages. Ces trois modes de réalisation de l'invention vont au-delà des limites de l'état de la technique.
Antognetti Phillip
Doherty Mark
Gillis John
Helms David
Mcpartlin Michael
Freedman Gordon
Sige Semiconductor (u.s.) Corp.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1989643