H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 25/065 (2006.01) H01L 21/70 (2006.01) H01L 25/16 (2006.01)
Patent
CA 2114563
An integrated semiconductor device is formed by bonding the conductors of one fabricated semiconductor device having a substrate to the conductors on another fabricated semiconductor device having a substrate, flowing an etch-resist in the form of a photoresist between the devices, allowing the etch-resist to dry, and removing the substrate from one of the semiconductor devices. Preferably the etch-resist is retained to impart mechanical strength to the device. More specifically, a hybrid semiconductor device is formed by bonding the conductors of one or more GaAs/AlGaAs multiple quantum well modulators to conductors on an IC chip, flowing a photoresist between the modulators and the chip, allowing the photoresist to dry, and removing the substrate from the modulator.
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs intégrés formé en liaisonnant les conducteurs d'un dispositif façonné à semi-conducteurs et comportant un substrat aux conducteurs d'un autre dispositif façonné à semi-conducteurs et comportant un substrat, en faisant passer une matière de protection sous forme de photorésine entre les dispositifs, en laissant sécher la matière de protection et en enlevant le substrat de l'un des dispositifs à semi-conducteurs. Idéalement, la matière de protection est conservée pour donner une résistance mécanique au dispositif. Plus particulièrement, un dispositif à semi-conducteurs hybride est formé en liaisonnant les conducteurs d'un ou de plusieurs modulateurs à puits quantiques GaAs/AlGaAs à des conducteurs sur une puce à circuit intégré, en faisant passer une matière de protection entre les modulateurs et la puce, en laissant sécher la matière de protection et en enlevant le substrat du modulateur.
American Telephone And Telegraph Company
Kirby Eades Gale Baker
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1857838