G - Physics – 02 – B
Patent
G - Physics
02
B
G02B 6/12 (2006.01) G02B 6/122 (2006.01) G02B 6/13 (2006.01) H01L 27/142 (2006.01) H01L 27/15 (2006.01) H01S 5/026 (2006.01)
Patent
CA 2659292
The invention describes an integrated-photonics arrangement, implementable in a multi-layer III-V semiconductor structure, which has a semiconductor substrate; an epitaxial semiconductor structure grown on this substrate in one growth step; a common waveguide; and a plurality of wavelength-designated waveguides; all the waveguides being formed in this epitaxial structure using conventional semiconductor processing techniques. Each waveguide being defined by the bandgap wavelength of its core region and all the waveguides being arranged vertically in order of ascending bandgap wavelength; with the common waveguide placed at the bottom of the structure and the wavelength-designated waveguide having the longest bandgap wavelength placed at the top of the structure. In use, the bandgap wavelength of the common waveguide being well below any operating wavelength, therefore providing conditions for low-loss propagation of each operating wavelength to its designated waveguide through the common waveguide. The invention discloses a method of wavelength demultiplexing (multiplexing) for optical signals in a plurality of wavelengths, which are co- or bi-directionally propagating within the integrated-photonics arrangement, by vertical splitting them from (combining them into) the common waveguide into (from) wavelength designated waveguides.
L'invention concerne une configuration photonique intégrée, qui peut être mise en AEuvre dans une structure semi-conductrice multicouche III-V, ayant un substrat semi-conducteur; une structure semi-conductrice épitaxiale produite sur ce substrat dans une phase de croissance; un guide d'onde commun; et une pluralité de guides d'onde désignés en longueur d'onde; tous les guides d'onde étant formés dans cette structure épitaxiale en utilisant des techniques de traitement de semi-conducteurs conventionnelles. Chaque guide d'onde est défini par la longueur d'onde de bande interdite de sa région centrale et tous les guides d'onde sont disposés verticalement par ordre de longueur d'onde de bande interdite ascendante; le guide d'onde commun étant placé au fond de la structure et le guide d'onde désigné en longueur d'onde présentant la longueur d'onde de bande interdite la plus importante étant placé en haut de la structure. En service, la longueur d'onde de bande interdite du guide d'onde commun est nettement inférieure à toute longueur d'onde opérationnelle, fournissant alors des conditions de propagation à faible perte de chaque longueur d'onde opérationnelle pour son guide d'onde désigné à travers le guide d'onde commun. L'invention concerne un procédé de démultiplexage (multiplexage) en longueur d'onde pour signaux optiques dans une pluralité de longueurs d'onde, qui se propagent de manière codirectionnelle ou bidirectionnelle dans la configuration photonique intégrée, en les séparant du (en les combinant au) guide d'onde commun pour obtenir des guides d'onde désignés en longueur d'onde.
Tolshikhin Valery I.
Wu Fang
Freedman Gordon
Onechip Photonics Inc.
LandOfFree
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