Internally matched microwave high power field effect...

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H - Electricity

03

F

H03F 3/193 (2006.01) H03F 3/60 (2006.01)

Patent

CA 2050578

Drain biasing circuit for an internally adapted high power FET (10) intended to be used in an amplifier operating in the domain of hyperfrequencies. Said circuit is characterized in that it is comprised of a line consisting of a low inpedance microband (20) which has a length of lambda g/2 at the normal operating frequency, lambda g being the length of the wave guided by the microband (20), and two HF choke coils (9a, 9b) which are connected to the centre of the above-mentioned low inpedance microband line (20), thus dividing into two paths the drain current (ID), which is thus conveyed to the centre of said line, this allowing to maintain a charge of 50 OMEGA , while providing for a correct biasing of the FET (10). Application to the electronic industry, particularly for fabricating devices adapted to be used on board of space vehicles.

PRECIS DE DIVULGATION Circuit de polarisation de drain pour un FET de puissance élevée adapté intérieurement destiné à être utilisé dans un amplificateur fonctionnant dans le domaine des hyperfréquences. Ce circuit est caractérisé en ce qu'il comprend une ligne constituée par une micro- bande à basse impédance, qui a une longueur de .lambda.g/2 à la fréquence de fonctionnement normal, .lambda.g étant la lon- gueur de l'onde guidée par la micro-bande, et deux bobines d'étranglement à RF qui sont reliées au centre de la ligne à micro-bande à basse impédance préci- tée, divisant ainsi en deux parcours le courant de drain, qui est ainsi acheminé au centre de cette ligne, ce qui permet de maintenir une charge de 50 .OMEGA., tout en assurant une polarisation correcte du FET. Application à l'industrie électronique, notam- ment pour la réalisation de dispositifs adaptés à l'usage à bord de véhicules spatiaux. Figure à joindre à l'abrégé : figure 2.

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