H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/00 (2006.01)
Patent
CA 2550011
A semiconductor laser and light-emitting device is defined. The device comprises an electron injector (see Fig. 2, Character 12) and an active region (see Fig. 2, Character 14) adjacent to the electron injector. The active region (see Fig. 2, Character 14) includes at least one deep quantum well with barrier layers adjacent to either side of the quantum well or wells such that electrons injected from the electron injector into a high energy level of the quantum well relax to a lower energy level with the emission of a photon and are transmitted out to a region beyond the last barrier layer of the active region. The electron injector includes quantum well layers. The bottom of each deep quantum well or wells in the active region is lower in energy than the bottoms of the quantum well layers in the electron injector. The device may further comprise at least two stages wherein each stage contains an electron injector and an active region. The stages are separated by semiconductor layers that allow the transfer of electrons from the active region of one stage to the electron injector of the next stage.
L'invention concerne un dispositif laser semi-conducteur et émetteur de lumière. Ce dispositif comprend un injecteur d'électrons et une zone active adjacente à l'injecteur d'électrons. La zone active comprend au moins un puits quantique profond ayant des couches barrières adjacentes à chaque côté du ou des puits quantiques de telle manière que les électrons injectés par l'injecteur d'électrons à un niveau d'énergie élevé du puits quantique se relaxe à un niveau d'énergie faible avec l'émission d'un photon et sont transmis à une zone au-delà de la dernière couche barrière de la zone active. L'injecteur d'électrons comprend des couches de puits quantique. La base de chaque puits quantique profond de la zone active est plus faible en énergie que les fonds des couches de puits quantiques dans l'injecteur d'électrons. Ce dispositif peut également comprendre au moins deux étages, chaque étage contenant un injecteur d'électrons et une zone active. Les étages sont séparés par des couches semiconductrices qui permettent le transfert d'électrons de la zone active d'un étage à l'injecteur d'électrons de l'étage suivant.
Botez Dan
Mawst Luke
Mirabedini Ali R.
Xu Dapeng P.
Borden Ladner Gervais Llp
Wisconsin Alumni Research Foundation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1422402