H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/812 (2006.01) H01L 21/285 (2006.01) H01L 21/306 (2006.01) H01L 21/338 (2006.01)
Patent
CA 2311564
In a GaAs MESFET an InGaP etch stop layer (105) is formed between the Schottky gate and an n- GaAs Schottky layer (104) to form a greater Schottky barrier height and to lower the conduction band discontinuity at the InGaP/GaAs interface.
La présente invention porte sur une couche d'arrêt de gravure In¿x?Ga¿1-x?P destinée à rendre plus uniformes des dispositifs dans une tranche épitaxiale comprenant une structure de transistors à effet de champ à jonction métal-semi-conducteur (MESFET). La plage des valeurs admissibles de x varie en fonction de l'épaisseur de la couche d'arrêt de gravure. A cette fin, de préférence x est de l'ordre de 0,5 de façon à maintenir la correspondance de grille avec le substrat GaAs. L'invention porte également sur un procédé de gravure par création sélective d'évidements dans la fabrication de transistors à effet de champ GaAs. Cette invention porte en outre sur l'utilisation d'une couche relativement mince (10 à 30 Angström) de matériau In¿x?Ga¿1-x?P permettant de réaliser la gravure par évidement sélectif du matériau sur un point où est formée une couche relativement uniforme de matériau n restant au-dessus de la couche du canal.
Smart & Biggar
The Whitaker Corporation
LandOfFree
Inxga1-xp stop-etch layer for selective recess of gallium... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Inxga1-xp stop-etch layer for selective recess of gallium..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Inxga1-xp stop-etch layer for selective recess of gallium... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1993744