H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/872 (2006.01) H01L 21/04 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01) H01L 29/24 (2006.01)
Patent
CA 2648526
A junction barrier Schottky (JBS) rectifier device and a method of making the device are described. The device comprises an epitaxially grown first n-type drift layer and p-type regions forming p+-n junctions and self-plana.pi.zing epitaxially over-grown second n-type drift regions between and, optionally, on top of the p-type regions. The device may include an edge termination structure such as an exposed or buried p+-n guard ring, a regrown or implanted junction termination extension (JTE) region, or a "deep" mesa etched down to the substrate. The Schottky contact to the second n-type drift region and the ohmic contact to the p-type region together serve as an anode. The cathode can be formed by ohmic contact to the n-type region on the backside of the wafer. The devices can be used in monolithic digital, analog, and microwave integrated circuits.
La présente invention concerne un dispositif redresseur Schottky à barrière de jonction et un procédé de fabrication du dispositif. Le dispositif comporte une première couche de dérive de croissance épitaxiale de type n et des régions de type p formant des jonctions p+-n et des secondes régions de dérive de type n de surcroissance épitaxiale de planarisation spontanée entre et, éventuellement, sur les régions de type p. Le dispositif peut comporter une structure de terminaison de bord telle qu'un anneau de protection de type p+-n exposé ou enterré, une région d'extension de terminaison de jonction reformée ou implantée, ou un mesa "profond" gravé vers le bas jusqu'au substrat. Le contact Schottky avec la seconde région de dérive de type n et le contact ohmique avec la région de type p agissent conjointement comme une anode. La cathode peut être formée par contact ohmique avec la région de type n sur le revers de la tranche. Les dispositifs peuvent être utilisés dans ces circuits intégrés numériques, analogiques et micro-ondes.
Cheng Lin
Mazzola Michael S.
Macrae & Co.
Semisouth Laboratories Inc.
Ss Sc Ip Llc
LandOfFree
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