Junction between a microstrip line and a waveguide

Details Junction between a microstrip line and a waveguide Junction between a microstrip line and a waveguide

H - Electricity

01

P

H01P 5/107 (2006.01)

Patent

CA 2499585

The invention relates to a configuration for a junction between a microstrip line and a waveguide, comprising: a microstrip line (ML), which is placed on the top side of a dielectric substrate (S); a waveguide, which is placed on the top side of the substrate (S) and which has an opening (OB) on at least one face and on a step-like structure (ST) provided on a lateral wall in the vicinity of the opening (OB) while, in at least one part (ST1), being conductively connected to the microstrip line (ML), whereby a lateral wall of the waveguide is a metallized layer (LS) provided on the substrate (S); a recess (A), which is made in the metallized layer (LS) and into which the microstrip line (ML) protrudes; a rear side metallization (RM) provided on the rear side of the substrate (S), and; electrically conductive through connections (VH) between the metallized layer (LS) on the top side of the substrate (S) and the rear side metallization (RM) that surround the recess (A).

L'invention concerne une configuration permettant d'assurer une jonction entre une microbande et un guide d'ondes, qui comprend : une microbande (ML) montée sur la face supérieure d'un substrat diélectrique (S) ; un guide d'ondes monté sur la face supérieure du substrat (S), avec une ouverture (OB), sur au moins une face d'about et une structure étagée (ST) pratiquée dans la zone de l'ouverture (OB), sur une paroi latérale, ladite structure étant reliée de manière conductrice, dans au moins une partie (ST1), à la microbande (ML). Une paroi latérale du guide d'ondes est une couche métallisée (LS) appliquée sur le substrat (S). La configuration comprend également un évidement (A) pratiqué dans la couche métallisée (LS) et dans lequel la microbande (ML) fait saillie ; une métallisation arrière (RM) effectuée sur la face arrière du substrat (S) ; des connexions transversales (VH) électroconductrice, pratiquées entre la couche métallisée (LS), sur la face supérieure du substrat (S) et la métallisation arrière (RM), qui entourent l'évidement (A).

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