C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
C30B 29/38 (2006.01) C30B 25/18 (2006.01)
Patent
CA 2712149
The present invention provides a self-supporting substrate obtained by the steps of: forming an Al-based group-III nitride thin-layer having a thickness in the range of 3-200 nm on a base substrate made of a single crystal of an inorganic substance which substantially does not decompose at 800 °C in an inert gas atmosphere and which does produce volatiles by decomposition when contacting with a reducing gas in a temperature range of 800-1600 °C, for example sapphire; forming voids along the interface between the base substrate and the Al-based group-III nitride thin-layer of the obtained laminated substrate by thermally treating the laminated substrate in a temperature range of 800-1600 °C in a reducing gas atmosphere containing ammonia gas; forming a group-III nitride single crystal thick-layer on the Al-based group-III nitride thin-layer; and separating these formed layers. The self-supporting substrate is a self-supporting substrate of the group-III nitride single crystal such as A1N, which is suitably used for forming a semiconductor device such as ultraviolet light emitting device and of which crystal plane shows a large radius of curvature.
L'invention porte sur un substrat monocristallin de nitrure du groupe III à base d'Al autoportant. Un substrat de base est fourni. Le substrat de base est formé d'un monocristal d'une matière inorganique, par exemple le saphir, qui n'est pas décomposée de façon substantielle à 800 °C dans un gaz inerte et qui, lors du contact avec un gaz réducteur tel que l'hydrogène gazeux à 800 à 1600 °C, est décomposée pour produire une matière volatile. Une couche de film mince d'un monocristal de nitrure du groupe III à base d'Al ayant une épaisseur de 3 à 200 nm est formée sur le substrat de base. Par la suite, le substrat stratifié est traité thermiquement à 800 à 1600 °C dans une atmosphère de gaz réducteur contenant un gaz ammoniac pour former des vides à l'interface du substrat de base et de la couche de film mince du monocristal de nitrure de groupe III à base d'Al dans le substrat stratifié. Ensuite, un film mince d'un monocristal de nitrure du groupe III est formé sur la couche de film mince du monocristal de nitrure du groupe III à base d'Al, en faisant suivre par une séparation du film formé. Ainsi, un substrat monocristallin de nitrure du groupe III à base d'Al autoportant est fourni qui est un substrat autoportant d'un monocristal d'un nitrure du groupe III tel qu'AlN qui est approprié pour être utilisé dans la formation d'éléments à semi-conducteur tels que des éléments électroluminescents ultraviolets et qui a un grand rayon de courbure dans un plan cristallin.
Hakomori Akira
Ishizuki Masanari
Koukitu Akinori
Kumagai Yoshinao
Nagashima Toru
Gowling Lafleur Henderson Llp
National University Corporation Tokyo University Of Agriculture
Tokuyama Corporation
LandOfFree
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