H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/111 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
Patent
CA 2459336
Large area silicon carbide devices, such as light -activated silicon carbide thyristors, having only two terminals are provided. The silicon carbide devices are selectively connected in parallel by a connecting plate. Silicon carbide thyristors are also provided having a portion of the gate region of the silicon carbide thyristors exposed so as to allow light of an energy greater than about 3.25 eV to activate the gate of the thyristor. The silicon carbide thyristors may be symmetric or asymmetrical. A plurality of the silicon carbide thyristors may be formed on a wafer, a portion of a wafer or multiple wafers. Bad cells may be determined and the good cells selectively connected by a connecting plate.
La présente invention concerne des dispositifs au carbure de silicium à surface importante, tels que des thyristors en carbure de silicium photosensibles, présentant seulement deux bornes. Lesdits dispositifs en carbure de silicium sont sélectivement connectés en parallèle par une plaque de connexion. L'invention concerne également des thyristors en carbure de silicium présentant une partie de la région de grille des thyristors en carbure de silicium exposée de manière à permettre à la lumière présentant une énergie supérieure à environ 3,25 eV d'activer la grille du thyristor. Les thyristors en carbure de silicium peuvent être symétriques ou asymétriques. Une pluralité desdits thyristors en carbure de silicium peut être formée sur une plaquette, sur une partie d'une plaquette ou sur de multiples plaquettes. Les mauvaises cellules peuvent être déterminées et les bonnes cellules sélectivement connectées par une plaque de connexion.
Agarwal Anant
Palmour John W.
Ryu Sei-Hyung
Cree Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1559901