Large area silicon carbide devices and manufacturing methods...

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H - Electricity

01

L

H01L 21/66 (2006.01) G01R 31/28 (2006.01) H01L 21/98 (2006.01) H01L 25/07 (2006.01)

Patent

CA 2464405

A silicon carbide device is fabricated by forming a plurality of a same type of silicon carbide devices on at least a portion of a silicon carbide wafer in a predefined pattern. The silicon carbide devices have corresponding first contacts on a first face of the silicon carbide wafer. The plurality of silicon carbide devices are electrically tested to identify ones of the plurality of silicon carbide devices which pass an electrical test. The first contact of the identified ones of the silicon carbide devices are then selectively interconnected. Devices having a plurality of selectively connected silicon carbide devices of the same type are also provided.

L'invention se rapporte à un dispositif en carbure de silicium fabriqué par formation d'une pluralité d'un même type de dispositifs en carbure de silicium sur au moins une partie d'une plaquette de carbure de silicium selon un motif prédéfini. Les dispositifs en carbure de silicium présentent des premiers contacts correspondants sur une première face de la plaquette en carbure de silicium. La pluralité de dispositifs en carbure de silicium sont testés électriquement pour identifier parmi la pluralité de dispositifs en carbure de silicium ceux qui satisfont un test électrique. Les premiers contacts des dispositifs en carbure de silicium identifiés sont reliés entre eux de manière sélective. L'invention se rapporte également à des dispositifs comprenant une pluralité de dispositifs en carbure de silicium du même type reliés entre eux de manière sélective.

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