H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/768 (2006.01)
Patent
CA 2272653
The present invention provides a method and system for irradiating resist material from multiple target positions (150) on one or more IC chips (12) with individually directed laser output pulses (74, 94). In one embodiment, an IC (12), including one or more etch targets (104, 106) such as conductive links (72, 92), is coated with an etch protection layer (90) of photoresist material. Then, position data direct, toward multiple positions (150) on the photoresist material, individual laser output pulses (94) of predetermined parameters selected to expose the photoresist material. Because photoresist exposure requires less energy than link blowing, low-power UV lasers (120) can be employed, and their shorter wavelengths permit a smaller practical laser output spot size (98). Because the nonablative process does not generate debris, an optical component (148) can be brought within 10 mm of etch protection layer (90) to focus the laser output pulses (94) to a spot size of less than two times the wavelength of laser output (140). Thus, an advantage of this embodiment permits microcircuit manufacturers to decrease the pitch distance (28) between circuit elements (14). After the photoresit layer (90) is developed, the accessible etch target (92) can be etched to repair or reconfigure the IC device. In another embodiment, slightly higher UV power laser output pulses (74) can be employed to ablate an etch protection resist layer (70) so any type of etch protection coating such as nonphotosensitive resist materials can be utilized with substantial manufacturing and cost benefits. Etching of the accessible etch targets (60, 62) follows this process.
La présente invention concerne un procédé et un système permettant d'irradier un résist pour l'enlever de plusieurs emplacements cibles (150) d'au moins une puce à circuit intégré (12), au moyen d'impulsions de sortie laser (74, 94) dirigées individuellement. Dans un mode de réalisation, un circuit intégré (12), comprenant au moins une cible à attaquer (104, 106), telle que des liaisons conductrices (72, 92), est revêtu d'une protection anti-attaque (90) constituée d'un photorésist. Ensuite, des impulsions de sortie laser (94) individuelles correspondant à des paramètres prédéterminés sélectionnés pour irradier le résist sont dirigés, en fonction de données d'emplacement, vers plusieurs emplacements (150) du photorésist. Etant donné que l'irradiation du photorésist nécessite moins d'énergie que l'enlèvement par éclatement des liaisons, on peut utiliser des lasers ultraviolets de faible puissance (120) et leur longueur d'onde plus courte permet l'obtention d'un spot de sortie laser (98) plus petit. Etant donné que le procédé sans ablation ne génère aucun débris, un composant optique (148) peut être approché à moins de 10 millimètres de la couche de protection anti-attaque (90) pour focaliser les impulsions de sortie laser (94) afin que la taille du spot corresponde à moins de deux fois la longueur d'onde de la sortie laser (140). Ainsi, un avantage offert par ce mode de réalisation réside dans le fait qu'il permet aux fabricants de microcircuits de réduire l'espacement (28) entre les éléments de circuit (14). Après développement de la couche de photorésist (90), la cible à attaquer (92) accessible peut être attaquée pour permettre la réparation ou la reconfiguration du dispositif à circuit intégré. Dans un autre mode de réalisation, on peut utiliser des impulsions de sortie laser ultraviolet (74) d'une puissance légèrement plus élevée pour l'ablation d'une couche de résist (70) de protection anti-attaque, n'importe quel type de revêtement de protection anti-attaque, tel qu'un résiste non photosensible, pouvant être utilisé, ce qui apporte des avantages importants en termes de fabrication ou de coût. L'attaque desdites cibles à attaquer (60, 62) accessibles se fait après ce procédé.
Harris Richard S.
Sun Yunlong
Swenson Edward J.
Electro Scientific Industries Inc.
Smart & Biggar
LandOfFree
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