H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 33/00 (2010.01) H01L 33/02 (2010.01) H01L 33/60 (2010.01)
Patent
CA 2564957
One embodiment of a method according to the present invention for fabricating a high light extraction photonic device comprises growing a lift-off layer on a substrate and growing an epitaxial semiconductor device structure on the lift-off layer such that the lift-off layer is sandwiched between said device structure and substrate. The epitaxial semiconductor structure comprises an emitter adapted to emit light in response to a bias. The device structure, lift-off layer and substrate is flip-chip mounted on a submount such that the epitaxial semiconductor device structure is sandwiched between the submount and lift-off layer. The lift-off layer is removed to separate the substrate from the device structure. Different removal methods can be used such as removal by a photo electrochemical etch or by illuminating the lift-off layer with laser light.
L'invention porte sur la mise en oeuvre d'un procédé de fabrication d'un dispositif photonique d'extraction par lumière forte, ce procédé consistant à étirer une couche de décollement sur un substrat et à étirer une structure épitaxiale de dispositif à semi-conducteurs sur la couche de décollement de sorte que cette dernière soit prise en sandwich entre la structure du dispositif et le substrat. La structure épitaxiale à semi-conducteurs comprend un émetteur adapté pour émettre la lumière en réaction à une sollicitation. La structure du dispositif, la couche de décollement et le substrat sont connectés par billes sur une embase de sorte que la structure épitaxiale du dispositif à semi-conducteurs soit prise en sandwich entre l'embase et la couche de décollement. La couche de décollement est retirée pour séparer le substrat de la structure du dispositif. Différentes méthodes de retrait peuvent être utilisées telles que le retrait par attaque photoélectrochimique ou par éclairage de la couche de décollement avec une lumière laser.
Denbaars Steven
Nakamura Shuji
Cree Inc.
Oyen Wiggs Green & Mutala Llp
LandOfFree
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