Light emitting device

Details Light emitting device Light emitting device

H - Electricity

01

L

H01L 33/32 (2010.01) H01L 33/04 (2010.01) H01S 5/343 (2006.01)

Patent

CA 2394460

A light-emitting device having an active layer made of a nitride semiconductor containing In, especially a light-emitting device emitting a light of long wavelength (above 550 nm) and having an improved output power, wherein the active layer is formed between an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer and includes a well layer made of Inx1Ga1-x1N (x1>0) containing In and a first barrier layer formed on the well layer and made of Aly2Ga1-y2N (y2>0) containing Al.

L'invention concerne un dispositif luminescent présentant une couche active constituée d'un semi-conducteur au nitrure contenant In, notamment un dispositif luminescent émettant une lumière de longueur d'onde longue (supérieure à 550 nm) et présentant une puissance de sortie améliorée, dans lequel la couche active est formée entre une couche de semi-conducteur de type n et une couche de semi-conducteur de type p et présente une couche de puits constituée de In¿x1?Ga¿1-x1?N (x1 > 0) contenant In, ainsi qu'une première couche d'arrêt formée sur la couche de puits et constituée de Al¿y2?Ga¿1-y2?N (y2 > 0) contenant Al.

Affiliated with

Also associated with

Rating

Light emitting device does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.

If you have personal experience with Light emitting device, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Light emitting device will most certainly appreciate the feedback.

Rate now

Comments { 0 }

Profile ID: LFCA-PAI-O-2084989