H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 33/02 (2010.01) H01L 33/32 (2010.01)
Patent
CA 2545163
Methods of fabricating light emitting diodes and light emitting devices are provided that include a substrate, an n-type epitaxial region on the substrate and a p-type epitaxial region on the n-type epitaxial region. At least a portion of the p-type epitaxial region comprises a mesa with respect to the substrate. An ohmic contact is provided on an exposed portion of the p-type epitaxial layer. The ohmic contact is self aligned to a sidewall of the mesa and to the p-type epitaxial layer such that a sidewall of the ohmic contact is substantially aligned with a sidewall of the mesa and to the p-type epitaxial layer.
La présente invention concerne des procédés de fabrication de diodes électroluminescentes et de dispositifs électroluminescents qui comprenne un substrat, une région épitaxiale de type n sur le substrat et une région épitaxiale de type p sur la région de type n. Au moins une partie de la région épitaxiale de type p comprend un mesa par rapport au substrat. Un contact ohmique est prévu sur une partie exposée de la couche épitaxiale de type n. Ce contact ohmique est auto-aligné avec une paroi latérale du mesa et avec la couche épitaxiale de type p de sorte qu'une paroi latérale du contact ohmique soit sensiblement alignée avec une paroi latérale du mesa et avec la couche épitaxiale de type p.
Edmond John
Hamilton Ian
Slater David B. Jr.
Cree Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1904401