H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/327 (2006.01) H01S 5/042 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2398377
An ultraviolet-light-emitting semiconductor diode comprising an n-type ZnO layer with luminous characteristics formed on a transparent substrate, and a p-type semiconductor layer selected from the group consisting of SrCu2O2, CuAlO2 and CuGaO2, which is formed on the n-type ZnO layer to provide a p-n junction therebetween. The transparent substrate is preferably a single crystal substrate having atomically flat yttria-stabilized zirconia (YSZ) (III) surface. The n- type ZnO layer is formed on the transparent substrate having a temperature of 200 to 1200°C, and the p-type semiconductor layer selected from the group of SrCu2O2, CuAlO2 and CuGaO2 is formed on the n-type ZnO layer. The n-type ZnO layer may be formed without heating the substrate, and then the surface of the ZnO layer may be irradiated with ultraviolet light to promote crystallization therein.
Il a été confirmé qu'un film ZnO du type n formé sur un film SrCu2O2 produit des caractéristiques de diode, sans toutefois que l'émission de lumière par ladite diode ne soit confirmée. L'invention concerne donc un élément lumineux ultraviolet à semiconducteur caractérisé en ce qu'il comprend une jonction p-n formée par stratification de l'un des semiconducteurs du type p, constitués respectivement de SrCu2O2, CuAlO2 ou de CuGaO2, sur une couche ZnO du type n formée sur un substrat transparent, et en ce qu'il possède des caractéristiques lumineuses. Le substrat transparent est, de préférence, un substrat monocristallin, notamment un substrat de zircone partiellement stabilisé à l'yttria aplati dans un état atomique. Un film ZnO du type n est formé sur un substrat transparent à une température de 200-1200 DEG C, et une couche de semiconducteur du type p constituée de SrCu2O2, CuAlO2 ou de CuGaO2, est formée sur ledit film. Il est également possible de former un film ZnO du type n, sans chauffer le substrat, et de soumettre la surface du film ZnO au rayonnement d'une lumière ultraviolette pour favoriser la cristallisation.
Hirano Masahiro
Hosono Hideo
Kawamura Kenichi
Orita Masahiro
Ota Hiromichi
Hoya Corporation
Japan Science And Technology Agency
Japan Science And Technology Corporation
Kirby Eades Gale Baker
Orita Masahiro
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1446103