G - Physics – 02 – F
Patent
G - Physics
02
F
G02F 1/01 (2006.01) H01L 21/46 (2006.01) H01L 23/08 (2006.01) H01L 29/161 (2006.01) H01L 29/20 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2536154
A method and apparatus for forming a porous layer on the surface of a semiconductor material wherein an electrolyte is provided and is placed in contact with one or more surfaces of a layer of semiconductor material. The electrolyte is heated and a bias is introduced across said electrolyte and the semiconductor material causing current to flow between the electrolyte and the semiconductor material. The current forms a porous layer on the one or more surfaces of the semiconductor material in contact with the electrolyte. The semiconductor material with its porous layer can serve as a substrate for a light emitter. A semiconductor emission region can be formed on the substrate. The emission region is capable of emitting light omnidirectionally in response to a bias, with the porous layer enhancing extraction of the emitting region light passing through the substrate.
L'invention concerne un procédé et un appareil pour former une couche poreuse à la surface d'un matériau semi-conducteur. Un électrolyte est mis en contact avec une ou plusieurs surfaces d'une couche de matériau semi-conducteur. L'électrolyte est chauffé, et un courant de polarisation est induit dans cet électrolyte et le matériau semi-conducteur; ce courant s'écoule entre l'électrolyte et le matériau semi-conducteur. Le courant forme une couche poreuse à l'une des surfaces du matériau semi-conducteur en contact avec l'électrolyte. Le matériau semi-conducteur avec sa couche poreuse peut servir de substrat à un émetteur de lumière. Une région semi-conductrice d'émission de lumière peut être formée sur le substrat. La région d'émission est capable d'émettre une lumière dans toutes les directions en réponse à un courant de polarisation, et la couche poreuse améliore l'extraction de lumière de région d'émission qui passe à travers le substrat.
Ibbetson James
Keller Bernd
Li Ting
Cree Inc.
Oyen Wiggs Green & Mutala Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1561794