H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/072 (2006.01) H01L 25/075 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01) H01L 31/0352 (2006.01) H01L 31/103 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2456671
The present invention is a semiconductor module (20) in which, for example, twenty-five semiconductor devices (10) with a photoelectric conversion function are arranged in the form of a five row by five column matrix via an electrically conductive mechanism including of six connecting leads (21 to 26). The semiconductor devices (10) in each column are connected in series, and the semiconductor devices (10) in each row are connected in parallel. Positive and negative terminals, which are embedded in a light transmitting member (28) made of a transparent synthetic resin and which protrude to the outside, are also provided. The semiconductor device (10) comprises a diffusion layer, a pn junction, and one flat surface on the surface of a spherical p-type semiconductor crystal, for example. A positive electrode 6a formed on the flat surface and connected to the p-type semiconductor crystal, and a negative electrode 6b that lies opposite the positive electrode 6a with the center of the p-type semiconductor crystal interposed therebetween, are provided.
L'invention se rapporte à un module à semi-conducteur (20) doté, par exemple, de 25 dispositifs semi-conducteurs (10) comprenant une fonction de conversion photoélectrique et disposés dans une matrice 5x5 grâce à un mécanisme de connexion électrique comportant six fils de connexion (21-26), les dispositifs à semi-conducteur (10) dans chaque colonne étant connectés en série et les dispositifs à semi-conducteur (10) dans chaque rangée étant connectés en parallèle. Outre cela, une borne d'électrode positive et une borne d'électrode négative sont dissimulées dans un élément de transmission de lumière (28) constitué d'une résine synthétique transparente et font saillie vers l'extérieur. Le dispositif à semi-conducteur (10) comprend une couche de diffusion, une jonction pn et une face plane à la surface d'un cristal semi-conducteur sphérique de type p, par exemple, une électrode positive (6a) connectée au cristal semi-conducteur de type p, et une électrode négative (6b) faisant face à l'électrode positive (6a) à travers le centre étant disposées sur la face plane.
Adams Thomas
Kyosemi Corporation
Nakata Josuke
LandOfFree
Light emitting or light receiving semiconductor module and... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Light emitting or light receiving semiconductor module and..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Light emitting or light receiving semiconductor module and... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1725601