Light-receiving element array

Details Light-receiving element array Light-receiving element array

H - Electricity

01

L

H01L 31/105 (2006.01) H01L 27/00 (2006.01) H01L 31/00 (2006.01)

Patent

CA 2385086

A photodetector array whose characteristics are prevented from deteriorating because of crosstalk. An n-InP layer, an i-InGaAs layer and an n-InP layer are formed on an n-InP substrate. Zn is diffused in the n-InP layer to form a p- type diffused region, thus fabricating a pin photodiode. A protective insulating film is formed on this structure so as to have a film thickness satisfying a non-reflective condition. A light shielding film is formed on the protective insulating film so as to cover regions between the light receiving parts.

Cette invention concerne un réseau de photo-détecteurs dont les caractéristiques ne risquent pas d'être faussées par suite d'échos magnétiques. On forme une couche n-InP, une couche i-InGaAs et une couche n-InP sur un substrat n-InP. La diffusion de Zn dans la couche n-InP permet de former une région diffusée de type p et donc de fabriquer une photodiode PIN. On forme un film isolant protecteur sur cette structure d'une épaisseur telle qu'il satisfait à une condition de non réflexion. On forme un écran pare-lumière sur le film isolant protecteur de manière à recouvrir les régions situées entre les parties photo-réceptrices.

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