H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 27/14 (2006.01) H01L 31/00 (2006.01) H01L 31/105 (2006.01)
Patent
CA 2355146
A light-receiving element array of which the size and pitch can be reduced while suppressing the crosstalk between adjacent elements. The light-receiving element array has a mesa structure of semiconductor layers through etching. It is fabricated by forming an n-type InP layer, an i-type InGaAs layer (light- absorbing layer), and a p-type InP layer (window layer) in order on an n-type InP substrate, etching the InGaAs layer and the p-type InP layer in order to isolate the elements, forming an insulation film thereon, forming a p-type ohmic electrode on the p-type InP layer of each light-receiving element and forming a common n-type ohmic electrode on the back of the n-type InP substrate.
L'invention concerne un réseau d'éléments récepteurs de lumière dont la taille et l'espacement peuvent être réduits alors même que l'écho magnétique entre les éléments adjacents peut être supprimé. Grâce à la gravure, ce réseau d'éléments récepteurs de lumière présente une structure mesa de couches de semi-conducteurs. Le processus de fabrication consiste: à former, dans l'ordre, une couche InP de type n, une couche InGaAS (couche absorbant la lumière), et une couche InP de type p (couche à fenêtre) sur un substrat InP de type n; à graver la couche InGaAS et la couche InP de type p de manière à isoler les éléments; à former un film isolant par-dessus; à former une électrode ohmique de type p sur la couche InP de type p se trouvant sur chaque élément récepteur de lumière; puis à former une électrode ohmique de type p commune à l'arrière du substrat InP de type n.
Arima Yasunori
Komaba Nobuyuki
Kusuda Yukihisa
Tagami Takashi
Nippon Sheet Glass Co. Ltd.
Smart & Biggar
LandOfFree
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