H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 3/11 (2006.01) H01S 3/036 (2006.01) H01S 3/038 (2006.01) H01S 3/22 (2006.01) H01S 3/225 (2006.01)
Patent
CA 2458619
An injection seeded modular gas discharge laser system (2) capable of producing high quality pulsed laser beams at pulse rates of about 4,000 Hz or greater and at pulse energies of about 5 mJ or greater. Two separate discharge chambers are provided, one of which is a part of a master oscillator (10) producing a very narrow band seed beam, which is amplified (12) in the second discharge chamber. The chambers can be controlled separately permitting separate optimization of wavelength parameters in the master oscillator and optimization of pulse energy parameters in the amplifying chamber. A preferred embodiment in the ArF excimer laser system configured as a MOPA and specifically designed for use as a light source for integrated circuit lithography. In the preferred MOPA embodiment, each chamber comprises a single tangential fan (10A) providing sufficient gas flow to permit operation at pulse rates of 4000 Hz or greater by clearing debris from the discharge region in less time than the approximately 0.25 milliseconds between pulses. The masters oscillator is equipped with a line narrowing package having a very fast tuning mirror capable of controlling centerline wavelength an a pulse to pulse basis at repetition rates of 4,000 Hz or greater to precision of less that 0.2 pm.
L'invention concerne un système laser modulaire à gaz lasant à injection de faisceau permettant de produire des impulsions de faisceau laser de grande qualité à des fréquences de 4000 Hz ou plus avec des énergies d'environ 5 mJ ou plus. Ce système comprend deux enceintes séparées de décharge, la première faisant partie d'un oscillateur maître produisant un faisceau d'injection de bande très étroite qui est amplifié dans la seconde enceinte de décharge. Les enceintes peuvent être commandées de façon séparée, ce qui permet une optimisation indépendante des paramètres de longueur d'onde dans l'oscillateur maître et des paramètres d'énergie d'impulsion dans l'enceinte d'amplification. Dans une réalisation préférée, un système de laser F¿2? est configuré en MOPA (oscillateur maître-amplificateur de puissance) et conçu spécifiquement afin d'être utilisé comme source de rayonnement lumineux en lithographie de circuits intégrés. Dans cette réalisation préférée de montage MOPA, chaque enceinte contient un ventilateur tangentiel unique permettant un débit de gaz suffisant pour autoriser un fonctionnement à une fréquence de 4000 Hz ou plus par enlèvement des débris de la zone de décharge en une durée inférieure à celle entre deux décharges qui est d'environ 0,25 milliseconde. Le maître oscillateur est équipé d'une unité de sélection de raie permettant de sélectionner la raie spectrale de F¿2? la plus intense.
Besaucele Herve A.
Brown Daniel J. W.
Ershov Alexander I.
Fomenkov Igor V.
Hulburd William G.
Cymer Inc.
Fetherstonhaugh & Co.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2054137