G - Physics – 03 – F
Patent
G - Physics
03
F
G03F 7/20 (2006.01) G03F 7/004 (2006.01) G11B 5/74 (2006.01) H01L 21/288 (2006.01) H01L 21/768 (2006.01) G11B 5/855 (2006.01)
Patent
CA 2253882
The invention relates to a lithographical process for production of nanostructures on surfaces. Said process is characterised in that stabilised nanometer-scale transition-metal clusters or colloids of metals of the groups 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 or 12 of the periodic system, their stabilised metal oxide or metal sulphide analogues, polynuclear metal carbonyl clusters with stochiometrically defined compositions, or polynuclear metal clusters with stochiometrically defined compositions or with bridges consisting of main group elements each in the form of a solution are applied to a surface in the form of a film which is illuminated selectively by an electron beam. After the non-illuminated parts of the film have been washed off, and then optionally annealed, defined structures are produced on the surface in the nanometer range.
L'invention concerne un procédé lithographique de production de nanostructures sur des surfaces, caractérisé en ce que l'on applique sur une surface, en solution et de façon à former un film qui sera ensuite exposé de façon ciblée à un faisceau d'électrons, soit des clathrates ou des colloïdes de métaux de transition, stabilisés et d'une taille de particule de l'ordre du nanomètre, constitués de métaux des groupes (4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 ou 12) de la classification périodique des éléments, leurs analogues sous forme d'oxydes métalliques ou de sulfures métalliques, des clathrates de carbonyle métallique à plusieurs noyaux, dont les compositions sont définies sur le plan stoechiométrique, soit des clathrates métalliques à plusieurs noyaux dont les compositions sont définies sur le plan stoechiométrique ou bien présentant des ponts constitués d'éléments des groupes principaux. Selon ledit procédé, après élimination par lavage des parties dudit film qui n'ont pas été exposées au faisceau d'électrons, cette élimination par lavage étant éventuellement suivie d'un recuit, des structures définies sont produites sur la surface, dans la plage nanométrique.
Dumpich Gunter
Lohau Jens
Reetz Manfred T.
Winter Martin
Bereskin & Parr Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
Studiengesellschaft Kohle Mbh
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1884479