H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/183 (2006.01) H01S 5/042 (2006.01) H01S 5/20 (2006.01)
Patent
CA 2506667
A vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) (10) having a tunnel junction (14) and emitting long wavelength light (i.e., 1200 to 1800 nanometers, though it is contemplated that the structures and techniques are applicable to other wavelength VCSELs). The tunnel junction (14) may be isolated with an implant (21) down into the top mirror (15) through the tunnel junction (14) and p- layer (13) and a trench (19) around the VCSEL (10) down to at least past the tunnel junction (14). The trench may result in reduced capacitance and D.C. isolation of the tunnel junction (14). The implant (21) is performed after the trench (19) is made. Some of the implant (21) may enter the bottom of the trench (19) into the bottom mirror (11) for some further isolation for the tunnel junction (14) of the VCSEL (10). Further isolation and some current confinement may be provided with lateral oxidation (23) of a layer (13) below the tunnel junction (14). Internal trenches (33) may be made from the top of the VCSEL (10) vertically down to the oxidizable layer (13) below the tunnel junction (14). Oxidation of that layer via these trenches (33) may provide further isolation of the tunnel junction (14). Also, a bonding pad (29) connected to a contact (16) on the VCSEL (10) with a bridge (31) may have an open trench (19) about their periphery for their isolation. Internal trenches (34, 35) may be placed on the pad (29) and its bridge (31) that go down vertically to the oxidizable layer (13). Oxidation via these trenches (34, 35) may provide further isolation for the pad (29) and bridge (31) if the latter is present.
L'invention concerne une cavité verticale présentant un laser émettant par la surface à jonction à effet tunnel (VCSEL), destiné à émettre un éclairage à longueur d'onde longue (c'est-à-dire comprise entre1200 et 1800 nanomètres, mais il est envisageable d'utiliser les structures et les techniques sur d'autres VCSEL à longueur d'ondes). La jonction à effet tunnel peut être isolée à l'aide d'un implant situé en-dessous du miroir supérieur, lequel est placé à travers la jonction à effet tunnel et la couche p et à l'aide d'une tranchée placée autour du VCSEL et située après la jonction à effet tunnel. La tranchée peut entraîner une capacitance réduite et une isolation au courant continu de la jonction à effet tunnel. L'implant est effectué après la réalisation de la tranchée. Une partie de l'implant peut entrer du fond de la tranchée jusqu'au miroir du fond, ceci permettant une isolation supplémentaire pour la jonction à effet tunnel du VCSEL. Une isolation supplémentaire et un confinement du courant peuvent être réalisés au moyen d'une oxydation latérale d'une couche située en-dessous de la jonction à effet tunnel. Des tranchées internes peuvent être créées verticalement de la partie supérieure du VCSEL jusqu'à la couche pouvant être oxydée, située en-dessous de la jonction à effet tunnel. L'oxydation de ladite couche par l'intermédiaire desdites tranchées permet une isolation supplémentaire de la jonction à effet tunnel. Un tampon de soudure, relié à un contact placé sur le VCSEL au moyen d'un pont, peut présenter une tranchée ouverte sur son diamètre, laquelle permet l'isolation. Des tranchées internes peuvent être placées sur le tampon et son pont, celles-ci descendant verticalement vers la couche à oxyder. L'oxydation réalisée à l'aide desdites tranchées permet d'isoler le tampon et le pont, si ce dernier est présent.
Johnson Ralph H.
Wang Tzu-Yu
Bennett Jones Llp
Finisar Corporation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1692496