H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/306 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01) H01L 21/331 (2006.01) H01L 21/768 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01) G06F 21/00 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2602365
This invention provides a method for producing application quality low- dielectric constant (low-k) cryptocrystal layers on state-of-the-art semiconductor wafers and for producing organized Nanostructures from cryptocrystals and relates to optical and electronic devices that can be obtained from these materials. The results disclosed here indicate that modification of structure and chemical composition of single crystal matrix using chemical vapor processing (CVP) results in high quality cryptocrystal layers that are homogeneous and form a smooth interface with semiconductor wafer. With this method, growth rates as high as 1 µm/hour can be realized for the dielectric cryptocrystal layer formation. The present invention also provides a method for producing Micro- and Nano-wires by transforming cryptocrystals to organized systems. With this method, Nano wires having dimensions ranging from few nanometers up to 1000 nanometer and lengths up to 50 micrometer can be produced. The cryptocrystals, nanowires and organized structures may be used in future interconnections as interlevel and intermetal di- electrics, in producing ultra high density memory cells, in information security as key generators, in producing photonic componenst, in fabrication of cooling channnels in advanced micro- and nano-electronics packaging and sensors.
La présente invention concerne un procédé destiné à la production de couches cryptocristallines à faible constante diélectrique (k) de qualité sur des plaquettes semi-conductrices d'avant-garde et à la production de nanostructures organisées à partir de cryptocristaux, ainsi que des dispositifs optiques et électroniques pouvant être obtenus à partir de ces matériaux. Les résultats présentés dans la présente demande indiquent qu'une modification de la structure et de la composition chimique d'une matrice monocrystalline par traitement chimique en phase vapeur permet d'obtenir des couches cryptocristallines de haute qualité qui sont homogènes qui forment une interface lisse avec une plaquette semi-conductrice. Le procédé de la présente invention permet d'obtenir des vitesses de croissance de l'ordre de 1 µm/heure pour la formation de la couche cryptocristalline diélectrique. La présente invention concerne également un procédé destiné à la production de micro- et de nano-câbles, dans lequel les cryptocristaux sont transformés en systèmes organisés. Ce procédé permet de produire des nano-câbles possédant des dimensions comprises entre quelques nanomètres et 1000 nanomètres et une longueur pouvant aller jusqu'à 50 micromètres. Ces cryptocristaux, nano-câbles et structures organisées peuvent être utilisés dans de futures interconnexions comme diélectriques entre niveau et entre couches de métallisation, dans la production de cellules de mémoire à ultra haute densité, dans le domaine de la sécurité des données comme générateurs de clé, dans la production de composants photoniques, dans la fabrication de canaux de refroidissement, ou encore dans des boîtiers de micro- et de nano-électronique et des capteurs.
Robic
Tubitak
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1440945